| 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。功率器件IGBT工艺流程 1.基板2.B+注入使用离子注入设备 3. 绝缘膜形成通过CVD形成掩膜 4.掩膜用绝缘膜 加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 5.P+注入使用离子注入设备 6.形成沟槽通过刻蚀形成沟槽 7.形成绝缘膜通过CVD形成绝缘膜 8.绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 9.形成Emitter电极通过溅射或蒸镀形成电极 10.形成P+FS层通过离子注入设备形成P+FS层 11.形成B+（Collector）通过离子注入设备形成B+（Collector） 12.形成Collector 通过溅射或蒸镀形成Collector |
图解功率器件IGBT工艺全流程
时间:2024-10-28 21:49 来源:网络整理 转载:我的网站
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